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碲镉汞中波制冷红外焦平面探测器

红外焦平面探测器阵列

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性　　能敏感材料碲镉汞 面阵规格 640x512 像元尺寸 15μm 光谱范围 3.7μm ~4.8μm NETD<20mK (F2) / <25mK (F4)（典型值）
C330M MWIR 碲镉汞中波制冷红外焦平面探测器

红外焦平面探测器阵列

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性　　能敏感材料碲镉汞 面阵规格 320x256 像元尺寸 30μm 光谱范围 3.7μm ~4.8μm NETD <12mK (F2) / <18mK (F4)(典型值)
碲镉汞中波制冷红外焦平面探测器

红外焦平面探测器阵列

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性　　能敏感材料碲镉汞 面阵规格 640x512 像元尺寸 25μm 光谱范围 3.7μm ~4.8μm NETD<13mK (F2) / <15mK (F4)（典型值）
碲镉汞中波制冷红外焦平面探测器

红外焦平面探测器阵列

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性　　能敏感材料碲镉汞 面阵规格 1280x1024 像元尺寸 12μm 光谱范围 3.7μm ~4.8μm±0.2μm NETD <20mK (F2)
非制冷红外焦平面探测器

红外焦平面探测器阵列

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NETD <40mK 功耗 <35mW 动态范围 1V~3V 典型响应率 15mV/K 热响应时间 <12ms （可定制）  工作温度 -40℃～85℃
GST417W 非制冷红外焦平面探测器

红外焦平面探测器阵列

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NETD <40mK 功耗 <250mW 动态范围 1V~3V 典型响应率 15mV/K 热响应时间 <12ms （可定制）  工作温度 -40℃～85℃
GST212W 非制冷红外焦平面探测器

红外焦平面探测器阵列

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NETD <60mK 功耗 <80mW 动态范围 1V~3V 典型响应率 15mV/K 热响应时间 <12ms （可定制）  工作温度 -40℃～85℃
GST612W 非制冷红外焦平面探测器

红外焦平面探测器阵列

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NETD<40mk 功耗<350mw 动态范围 1V~3V 典型响应率 15mV/K 热响应时间<12ms （可定制）  工作温度 -40℃～85℃
GST412W 非制冷红外焦平面探测器

红外焦平面探测器阵列

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l  NETD <40mK 功耗 <250mW 动态范围 1V~3V 典型响应率 15mV/K 热响应时间 <12ms （可定制）  工作温度 -40℃～85℃
红外焦平面列阵

红外焦平面探测器阵列

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焦平面列阵拥有320╳256像素，重量轻，LCC焊接密封封装，室温操作；典型的像素可操作性大于99%；

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